TRANSISTORES
el transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador,oscilador, conmutador o rectificador el termino transistor es la contracción en ingles de transfer resistor(resistencia de transferencia) actualmente se los encuentra practicamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios,televisores,grabadores,productores de audio y video, hornos de microondas,lava ropas automáticos,automoviles equipos de refrigeracion,alarmas relojes de cuarzo, computadoras,calculadoras,impresoras,lamparas fluorescentes,equipos de royos x,tomografos,ecografos,reproductores mp3,celulares etc.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores,capacitadores einductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica.
los transistores de efecto de campo,son los que an permitido la interacción a gran escala que disfrutamos hoy en día, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios miles de transistores interconectados por centímetro cuadrado o en varias capas superpuestas.
TIPOS DE TRANSISTORES
Transistor de punta de contacto:Primer transistor que obtuvo ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. Hoy día ha desaparecido.
transistor de union bipolar:BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
la zona N con elementos donantes de electrones (carga negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas),normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al indio (ln), aluminio (Al) o galio (Ga) y donantes N al arsenico (As) o fosforo (P).
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